当前位置: 六合宝典免费资料大全 > 香港最快开奖现场直播 >

内存革命:存储巨头争霸HBM

更新时间:2020-11-08

原标题:内存革命:存储巨头争霸HBM

巨头之间的竞争从不曾停歇。在内存领域,一场关于HBM(High Bandwidth Memory,高带宽存储器)的竞逐赛已悄然打响。

从2D到3D DRAM之“革命”

作为存储器市场的重要组成部分,DRAM技术不断地升级衍生。近年来,如同闪存从2D NAND向3D NAND发展一样,DRAM也正在从2D向3D技术发展,其中HBM为主要代表产品。

据了解,HBM主要是通过硅通孔(Through Silicon Via, 简称“TSV”)技术进行芯片堆叠,以增加吞吐量并克服单一封装内带宽的限制,将数个DRAM裸片像摩天大厦中的楼层一样垂直堆叠,裸片之间用TVS技术连接。

“TSV——在DRAM芯片上搭上数千个细微孔并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术。该技术在缓冲芯片(buffer chip)上将数个DRAM芯片堆叠起来,并通过贯通所有芯片层的柱状通道传输信号、指令、电流。相较传统封装方式,该技术能够缩减30%体积,并降低50%能耗。”HBM的主要供应商SK海力士在其新闻稿中如此介绍。

图| SK海力士官网

凭借TSV方式,HBM大幅提高了容量和数据传输速率,与传统内存技术相比,HBM具有更高带宽、更多I/O数量、更低功耗、更小尺寸,可应用于高性能计算(HPC)、超级计算机、大型数据中心、人工智能/深度学习、云计算等领域。随着5G商用到来,存储数据量激增,市场对于HBM的需求将有望大幅提升。

从技术角度看,HBM使得DRAM从传统2D转变为立体3D,充分利用空间、缩小面积,正契合半导体行业小型化、集成化的发展趋势。HBM突破了内存容量与带宽瓶颈,被视为新一代DRAM解决方案,业界认为这是DRAM通过存储器层次结构的多样化开辟一条新的道路,革命性提升DRAM的性能。